Samsung Electronics объявила о начале массового производства новых 8-гигабитных чипов памяти LPDDR4 с низким энергопотреблением.
Кристаллы производятся с использованием 20-нанометрового техпроцесса и по сравнению с чипами предыдущего поколения 4 Гбит LPDDR3 обладают вдвое большей ёмкостью и удвоенной производительностью. Новые кристаллы позволяют создавать упаковки ёмкостью 4 гигабайта, что очень актуально в наше время роста объёмов данных — от научных до видео сверхвысокого разрешения. Компания заявляет, что благодаря скорости передачи данных на уровне 3200 Мбит/с новая память позволит осуществлять непрерывную запись или воспроизведение видео с размером кадра более 20 мегапикселей.
Напряжение питания, при котором работает память LPDDR4, созданная в стенах Samsung, составляет всего 1,1 вольта, а экономичность ныне востребована во всех сферах — от смартфонов и планшетов до серверов и кластеров в крупных центрах обработки данных. При ёмкости модуля 2 Гбайт осуществляется 40-процентная экономия в сравнении с аналогичным модулем LPDDR3. Компания уже начала поставки чипов ёмкостью 2 и 3 гигабайта, а 4-гигабайтные сборки начнут поставляться в начале следующего года.
Источник: Samsung Electronics
