Компания Rambus объявила о разработке интерфейса физического уровня (PHY) R+ DDR4/3, рассчитанный на 28-нанометровый техпроцесс Samsung, оптимизированный по критерию энергопотребления (28nm LPP).
Разработка, выполненная в сотрудничестве с Samsung, готова для интеграции в однокристальные системы. Интерфейс Rambus R+ DDR4, работая в разных режимах, позволяет получить максимальную производительность, одновременно сохраняя совместимость со