Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в отрасли чипов мобильной памяти LPDDR4 плотностью 8 Гбит. Они выпускаются по технологии 20-нанометрового класса (от 20 до 30 нм). Память LPDDR является наиболее распространенным типом оперативной памяти в мобильных устройствах.
По плотности и производительности новинка вдвое превосходит чипы LPDDR3 плотностью 4 Гбит, выпуск которых по технологии 20-нанометрового класса был освоен ранее. Используя кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит, можно выпускать микросхемы LPDDR4 объемом 4 ГБ.
Скорость передачи данных, обеспечиваемая новой памятью, достигает 3200 Мбит/с, что вдвое выше скорости типичной памяти DDR3, установленной в ПК Это позволяет решать такие требовательные к быстродействию задачи, как запись и воспроизведение видео 4К или серийная съемка с разрешением более 20 Мп.
По плотности и производительности новинка вдвое превосходит чипы LPDDR3 плотностью 4 Гбит, выпуск которых по технологии 20-нанометрового класса был освоен ранее. Используя кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит, можно выпускать микросхемы LPDDR4 объемом 4 ГБ.
Скорость передачи данных, обеспечиваемая новой памятью, достигает 3200 Мбит/с, что вдвое выше скорости типичной памяти DDR3, установленной в ПК Это позволяет решать такие требовательные к быстродействию задачи, как запись и воспроизведение видео 4К или серийная съемка с разрешением более 20 Мп.
